가장 큰 변화는 I/O 폭이 두 배가 된 점입니다.
HBM3E는 1,024개 I/O 핀을 사용하는 세대이고 HBM4는 2,048개로 확장됩니다. 핀 하나의 속도만 높이는 방식이 아니라 한 번에 데이터를 옮길 수 있는 통로 자체를 넓혀 전체 대역폭을 키웁니다.
대역폭 수치는 제품별 발표로 읽어야 합니다.
삼성전자는 자사 HBM4 제품에서 최대 3.3TB/s를 제시하고, Micron HBM3E는 제품당 1.2TB/s를 넘는 대역폭을 설명합니다. 이는 세대 차이를 이해하는 사례이지 모든 제조사의 모든 제품이 똑같다는 뜻은 아닙니다.
로직 베이스 다이가 더 중요한 부품이 됩니다.
HBM4는 메모리 다이 아래의 베이스 다이에 고급 로직 공정을 적용하는 흐름이 강해졌습니다. 메모리와 가속기 사이의 인터페이스, 전력 관리와 고객 맞춤 설계가 제품 경쟁력에 더 직접적으로 연결됩니다.
전력효율은 속도와 함께 봐야 합니다.
AI 가속기는 메모리에서 막대한 데이터를 계속 옮기므로 비트당 에너지와 발열이 중요합니다. 삼성전자는 자사 HBM4가 HBM3E 대비 전력효율과 열 특성을 개선했다고 발표했습니다. 비교할 때는 같은 제조사의 같은 기준인지 확인합니다.
12단 적층이라도 세대만으로 용량을 단정할 수 없습니다.
HBM3E와 HBM4 모두 적층 수와 DRAM 다이 용량 조합에 따라 패키지 용량이 달라질 수 있습니다. 12H라는 표시만 보고 세대와 총용량, 대역폭을 한 번에 판단하지 않는 편이 좋습니다.
양산 출하와 실제 GPU 탑재는 다른 뉴스입니다.
메모리 업체의 양산 출하는 공급 준비를 뜻하고, 가속기 제조사의 품질 검증과 시스템 출시 일정은 별도로 움직입니다. 투자 판단이 아니라 기술 흐름을 읽을 때도 샘플, 검증, 양산, 탑재 단계를 구분해야 합니다.